最终作业
采用阶段能测试和k点测试脚本,分别绘制SiC原胞结构的总能随截断能变化曲线和SiC原胞结构的总能随k点的变化曲线,即收敛性测试
采用PBE泛函体相优化SiC结构的晶格参数,并将最终优化后结构与初始数据库下载结构数据进行比较
- 在Materials Project数据库中的ID为:mp-8062
- 绘制成表格并进行简单的结果分析
在初始优化后结构的基础上计算以下性能参数
- 能带结构、态密度、Si的分态密度以及C的分态密度,并做简单的结果分析
- SiC晶胞的电子局域函数图。包括三维显示和2D切面,并做简单的结果分析
- 弹性常数和剪切模量等数据并与Materials Project数据库结果进行比较
- SiC原胞的差分电荷和Bader电荷转移分析,并做简单的结果分析
- 差分电荷一张图,并在该图基础上使用PS等软件标注Bader电荷转移情况
- 氢终止的SiC结构(111)-(1x1)表面表面电子结构,包括表面能带和分态密度,并做简单的结果分析
- SiC结构(100)-(2x1)表面重构的表面表面电子结构,包括表面能带和分态密度,并做简单的结果分析
- SiC结构(100)-(2x1)表面重构模型吸附一个H2O分子后的差分电荷和Bader电荷转移分析,并做简单的结果分析
- 差分电荷一张图,并在该图基础上使用PS等软件标注Bader电荷转移情况
- SiC原胞结构的声子谱和声子态密度,并做简单的结果分析
- 比较不同vdw修正对锂原子吸附石墨烯2x2超胞结构体系总能的影响,即不同vdw条件下体系的吸附能
- 分子动力学模拟相关
- 不同SiC结构的convex hull绘制
- 分别以Fd3m对称性的金刚石和硅结果做convex hull横坐标,体系的形成能为纵坐标,简单一点可以只计算SiC一种结构
- convex hull中形成能的计算参照下边文献中的计算公式,注意C和Si体系参考与文献中不同,这里需要采用体相材料作为参考,即金刚石和硅结构